一、K-SPEED介绍

二、公司简介

三、开放思维

1.半导体制造中HARC工艺的新挑战

四、研发团队

五、K-SPEED优势

• 简单的GUI ，基于用户反馈优化设计
• 完全的碳氟化合物混合气体化学性质深度刻蚀（C4F6/C4F8/CH2F2/Ar/O2）

-可靠性已得到三星和SK-海力士验证

• 快速的求解时间

-基于CPU的化学反应计算
-基于GPU的弹道输运

-其他先进技术的应用…

六、图形用户界面GUI

七、批量等离子体仿真简介

1.批量等离子体仿真范畴

2.零维批量等离子体仿真——K-0DPLASMA

3.K-0DPLASMA软件射频鞘层模型与脉冲放电

4.等离子体数据库

5.等离子体诊断和K-0DPLASMA数据库

八、三维特征轮廓仿真研发

1.等离子体处理中三维特征轮廓仿真

2.三维特征轮廓仿真之纳米级中性粒子输运

3.弹道输运模块的GPU计算方法

4.三维特征轮廓仿真之表面反应

九、案例

1.氟碳/氩/氧/电容耦合 等离子体

2.氟碳化合物/氩/氧气电容耦合等离子掩模刻蚀图形化

3.大面积等离子体刻蚀仿真

4.氧化刻蚀自停止&连续氮化物刻蚀

5.等离子体充电模拟

6.脉冲式氟碳等离子氧化刻蚀

7.晶圆边缘轮廓倾斜

8.MTJ材料等离子刻蚀模拟

9.Bosch的等离子处理挑战

10.等离子体局部加载刻蚀模拟

下载此案例，戳下方链接，课时2

更多K-SPEED案例可戳：http://edu.yanfabu.com/course/1625

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